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本实用新型提供一种NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构，包括N型轻掺杂半绝缘单晶硅衬底，N型轻掺杂半绝缘单晶硅衬底表面形成有埋氧层，埋氧层表面从左至右形成有厚度相同而宽度不同的发射区、基区和集电区，发射区和集电区里从下至上淀...
该专利属于中合博芯(重庆)半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中合博芯(重庆)半导体有限公司授权不得商用。

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