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本发明公开了一种紫外GaN光源及其制备方法，属于固体发光器件技术领域，所述制备方法包括：在硅衬底上等间距刻蚀多个圆孔图形，各圆孔图形的深度相同、直径不同；在硅衬底上表面均匀沉积AlN缓冲层；在AlN缓冲层上除去圆孔图形底部的位置，均匀沉积S...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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