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本发明公开了一种离子注入工艺在线监控方法，包括在晶圆的芯片单元中选择至少一个作为量测单元；每个量测单元中定义有至少一个量测位置，每个量测位置对应监测预设量测区域的某一种工艺阶段的JPV方块电阻；选定工艺执行光刻步骤同时将该工艺对应量测单元的...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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