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一种制备锗硅半导体材料层的方法、锗硅半导体材料层，所述方法包括：提供半导体衬底；形成多层超晶格层，所述多层超晶格层覆盖所述半导体衬底；其中，每层超晶格层包含单层超晶格Si...
该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。

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