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本发明描述了用于检查间接带隙半导体结构（１４０）的方法（６００）和系统（１００）。光源（１１０）生成适于在所述间接带隙半导体结构（１４０）中引发光致发光的光（６１２）。短通滤波器单元（１１４）减少所生成的光中的高于指定发射峰值的长波长光。准...
该专利属于BT成像股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过BT成像股份有限公司授权不得商用。

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