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半导体存储器装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:25712980
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半导体存储器装置及其制造方法。一种形成3D存储器装置的工艺包括形成具有多个层叠的层的层叠结构,蚀刻层叠结构以形成各自包括多个阶梯的阶梯沟槽,在阶梯沟槽上方形成具有多个开口的硬掩模层,在硬掩模层上方形成光致抗蚀剂层,并且使用硬掩模层和光致抗蚀...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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