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本发明涉及内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及其制造工艺。通过内置PN结结构调节电场分布的方式，可以提高EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管器件的击穿电压。内置PN结用于改善栅极和漏极之间的器件内部电场分布，从而实现更高的击穿电压。结构参数优化...该专利属于深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)所有，仅供学习研究参考，未经过深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)授权不得商用。