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本发明涉及一种半导体结构及其制造方法、DRAM和半导体芯片，属于半导体技术领域，解决了现有技术中有源接触件与位线侧墙的拖尾部位接触而导致的导体间的短路的问题。一种半导体结构包括：半导体衬底；位线，位于所述半导体衬底上；以及位线侧墙，位于所述...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。