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本申请公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体制造领域，该方法包括在衬底上沉积多晶硅层，衬底包括存储器件区域和逻辑器件区域，存储器件区域形成有闪存器件的栅极结构；通过光刻工艺定义出逻辑器件的N型掺杂区；根据N型掺杂区，对多晶硅层进行N型掺...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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