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本发明提供一种改善介电层孔隙的方法，提供基底、位于基底上相互间隔的多个多晶硅栅结构及其上的氮化硅、位于多晶硅栅结构侧壁的第一至第三侧墙；去除第二、第三侧墙及氮化硅；沉积氮化硅层和氧化硅层，旋涂光刻胶以填充满多晶硅栅结构之间空隙；去除多晶硅栅...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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