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一种半导体器件及其制造方法技术
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下载一种半导体器件及其制造方法的技术资料
文档序号:25444231
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本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法,在衬底上形成第一掺杂材料层、沟道层和第二掺杂材料层的堆叠层,对堆叠层进行刻蚀得到第一隔离沟槽和第二隔离沟槽,在第一隔离沟槽中形成绝缘层,之后可以通过第二隔离沟槽从侧向对沟道层进行刻蚀,保留绝缘层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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