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本发明公开了一种半导体激光器及其制作方法，该方法包括：在衬底的第一表面上形成外延层，制得外延片；在外延片上形成脊形图形掩膜层；将形成脊形图形掩膜层的外延片置于具有保护气的反应室中进行刻蚀；通入第二气体，在外延片的刻蚀面及刻蚀壁上生长防氧化层...
该专利属于四川大学;苏州长光华芯光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学;苏州长光华芯光电技术有限公司授权不得商用。

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