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具有热沉结构的GaN器件及其制备方法技术
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文档序号:25402911
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本发明提供一种具有热沉结构的GaN器件及其制备方法,该器件依次包括:Cu热沉衬底、CuIn金属间化合物层、种子层、粘附层、SiC衬底层及功能层。通过裂解工艺,利用离子注入在SiC衬底层内形成缺陷层,然后在应力诱导产生层的应力作用下使SiC衬...
该专利属于浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学授权不得商用。
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