温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种半导体激光器的波导结构,涉及半导体制造的技术领域。本申请的半导体激光器的波导结构包括衬底、下限制层、量子阱、上限制层和脊形成层,所述下限制层设置在所述衬底上;所述量子阱设置在所述下限制层上;所述上限制层设置在所述量子阱上;所...该专利属于度亘激光技术(苏州)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过度亘激光技术(苏州)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种半导体激光器的波导结构,涉及半导体制造的技术领域。本申请的半导体激光器的波导结构包括衬底、下限制层、量子阱、上限制层和脊形成层,所述下限制层设置在所述衬底上;所述量子阱设置在所述下限制层上;所述上限制层设置在所述量子阱上;所...