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等离子体蚀刻方法包括如下工序：物理吸附工序，其边将形成有蚀刻对象膜的被处理体进行冷却，边使基于第1处理气体的吸附物物理吸附于蚀刻对象膜；和，蚀刻工序，其使吸附物与蚀刻对象膜通过第2处理气体的等离子体进行反应，从而对蚀刻对象膜进行蚀刻。...
该专利属于东京毅力科创株式会社;法国国立奥尔良大学所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社;法国国立奥尔良大学授权不得商用。

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