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本发明公开了一种用于超深宽比刻蚀的等离子反应器及其刻蚀方法，包括：反应腔，所述反应腔内形成反应空间；反应空间底部包括一个基座，用于支撑处理基片；反应腔内顶部包括一气体喷淋头；第一射频电源输出具有第一频率的射频功率到基座或气体喷淋头，以形成并...
该专利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。

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