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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底；在所述基底内形成第一阱区和第二阱区，第二阱区位于第一阱区内，所述第一阱区和第二阱区的导电类型相反；在所述基底上形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述栅极结构位于部分第二阱区表面和部分第一阱区表面...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。