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本发明涉及一种GaN基LED蓝绿光外延片表面粗化的生长方法，在MOCVD设备的反应室中外延生长，包括：(1)处理衬底；(2)在衬底上生长缓冲层；(3)在缓冲层上依次生长非掺杂氮化镓层和N型氮化镓层；(4)在N型氮化镓层上生长多量子阱结构；(...
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