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本发明公开了一种碳化硅MOSFET的倾斜注入沟道制备方法，制备方法包括：(a)在第一导电类型碳化硅衬底上生长第一导电类型的碳化硅外延层；(b)在第一导电类型的碳化硅外延层中分别注入第二导电类型体区、第二导电类型基区和第一导电类型源区、电流加...
该专利属于派恩杰半导体(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过派恩杰半导体(杭州)有限公司授权不得商用。

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