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本发明提供了一种氧化物薄膜阻变存储器多级阻态的电压调控方法，该方法包括如下步骤：(1)在高阻态下对器件施加置位电压V...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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