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本发明公开一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,晶粒生产方法包括以下步骤：S1：晶圆键合，晶圆的正面完成金属垫工艺后，在晶圆上形成金属层，将晶圆的正面通过粘合剂键合在环形玻璃载板上；S2：减薄、S3：中间工艺、S4：背面切割、S5：蚀刻工...
该专利属于绍兴同芯成集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴同芯成集成电路有限公司授权不得商用。

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