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本发明涉及一种光电集成器件及其制备方法。该制备方法包括：在所述衬底上生长P掺杂Ge埋层、本征GeSn层、N掺杂Ge层、N掺杂Si层和保护层；刻蚀第一指定区域的所述保护层、所述N掺杂Si层以及所述N掺杂Ge层分别形成LED和探测器的负电极区域...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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