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本实用新型公开了一种IGBT器件结构，包括半导体衬底、沟槽区、栅氧化层、发射极电极、绝缘介质层、N+发射极区、N型基区、N型场终止区、P型基区、P+深阱区、P型集电极区、集电极以及形成于所述半导体衬底正面和所述沟槽区内的复合栅电极，复合栅电...
该专利属于安徽瑞迪微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽瑞迪微电子有限公司授权不得商用。

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