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本发明提供了一种碳化硅MOS电容器件及其制作方法，在第一次退火处理时是在Ar气氛条件下或含O元素的Ar气氛条件下进行的，进而通过Ar退火能够去除SiC外延层和栅氧化层的界面处的C元素，使得C元素相关缺陷发生分解并离开界面处位置；且进一步在含...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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