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非易失性存储器件及其制造方法技术
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文档序号:24803111
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本申请提供一种非易失性存储器件及其制造方法。在根据一个实施例的非易失性存储器件的制造方法中,在衬底上形成第一隧道氧化物层、氮供应层和密度低于第一隧道氧化物层的密度的第二隧道氧化物层。使在氮供应层中的氮扩散到第二隧道氧化物层中,以将第二隧道氧...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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