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本发明属于抗质子辐照半导体器件技术领域，具体涉及一种基于复合沟道和双掺杂层的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法。本发明中InP基HEMT沟道采用InGaAs/InAs/AlInGaAs复合沟道，InAs材料电子有效质量低沟道载流子迁...
该专利属于郑州大学所有，仅供学习研究参考，未经过郑州大学授权不得商用。

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