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本发明公开了一种等离子体刻蚀装置，包括：反应室，用于容纳反应气体；介电窗，其设置与反应室顶部；边缘环，其固定于反应室和介电窗之间；介电窗和边缘环用于真空密封反应室；进气系统，其用于向反应室内通入反应气体，其包括设置在介电窗的中心区域上的第一...
该专利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。

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