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本发明提供了一种检测晶圆缺陷的方法及装置，属于晶圆制造领域。所述方法包括：获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息；根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度；判断所述收敛程度是否大于预设阈值，如果是，则判定所述晶...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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