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提供了用于感测差分电压的金属氧化物半导体(MOS)晶体管偏移消除(OC)零感测(ZS)死区电流锁存感测放大器(SA)(CLSA)(OCZS‑SA)。OCZS‑SA被配置为利用较小的感测放大器偏移电压来放大所接收的差分数据和参考输入电压，以在...
该专利属于高通科技公司;延世大学大学工业基金会所有，仅供学习研究参考，未经过高通科技公司;延世大学大学工业基金会授权不得商用。

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