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本发明涉及一种调整发光二极管的光提取效率的方法，该发光二极管具有表面积S和周长P，该方法的特征在于包括使用具有折射率N的封装层(12)来封装发光二极管的步骤；基于考虑发光二极管的内量子效率IQE的模型确定折射率N；并且利用封装层实现的光提取...
该专利属于原子能和替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能和替代能源委员会授权不得商用。

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