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本发明提供一种半导体硬掩膜薄膜制备方法，所述方法包括：构建腔室环境，将所述反应腔室进行抽真空，以使所述反应腔室的压力达到第一设定压力值；将待沉积含氮化合物薄膜的晶片传入所述反应腔室内的基座上，将所述基座加热至预设温度值；启辉步骤，向反应腔室...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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