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本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件，用以克服现有横向功率MOSFET器件中高介电常数薄膜仅能够影响漂移区靠近器件表面的一小部分区域、导致对器件性能的优化不够充分的问题。本发明在现有的...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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