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本公开涉及一种整合箝制电压箝位电路的碳化硅半导体组件。本发明提供一种整合金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)以及双向电压箝的碳化硅半导体组件，通过上述的简单结构以达到保护组件目的，有效避免栅极与源极间的正向过电压及负向过电压可能造成的...
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