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本发明公开了一种用于纳米激光器的双凹型金属半导体谐振腔，包括由内到位依次设置的半导体层、绝缘层和金属层；其中半导体层包括InGaAs核心层、p掺杂的InP材料层、n掺杂的InP材料层和p参杂的InGaAs顶上接触层；InGaAs核心层的下层...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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