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公开了一种III‑V族氮化物功率器件，包括阳极、阴极和衬底，还包括缓冲层，位于衬底上方；半绝缘氮化镓层，位于所述缓冲层上方；第一N型氮化镓层，位于所述半绝缘氮化镓层上方；第二N型氮化镓层，位于所述第一N型氮化镓层上方；以及至少一层空间电荷层...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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