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一种半导体器件包括：形成在衬底中的防护有源区域；多个晶体管，设置在与防护有源区域相邻的元件区域中，每个晶体管包括有源区域和交叉有源区域的栅极结构；以及二极管晶体管，设置在晶体管当中的第一晶体管和第二晶体管之间，并且具有连接到防护有源区域的二...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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