专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
长鑫存储技术有限公司
>
沟槽隔离结构的形成方法及介电膜的形成方法技术
>技术资料下载
下载沟槽隔离结构的形成方法及介电膜的形成方法的技术资料
文档序号:24098701
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明一实施方式提供了一种沟槽隔离结构的形成方法及介电膜的形成方法,该沟槽隔离结构的形成方法包括提供具有至少一沟槽的衬底;在所述沟槽内沉积介质材料;以及先通过臭氧再通过紫外光对所述介质材料进行固化处理,在所述沟槽内形成介质层。本发明一实施方...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。