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本实用新型涉及浅沟槽隔离结构及半导体器件，所述浅沟槽隔离结构形成于衬底内，其包括：第一部，其具有从衬底的表面延伸至衬底内的第一深度处的第一侧壁，第一侧壁相对于衬底的表面具有第一斜率，且一侧壁的表面具有第一粗糙度；以及第二部，其具有从第一深度...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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