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本发明公开一种电子设备的壳体加工方法，包括：在壳体基材上设置膜层，所述膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，相邻的两层所述子膜层的折射率不同，且低折射率的所述子膜层与高折射率的所述子膜层交替层叠设置，各所述子膜层的厚度为λ/4，其中，380nm...该专利属于维沃移动通信(重庆)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过维沃移动通信(重庆)有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种电子设备的壳体加工方法，包括：在壳体基材上设置膜层，所述膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，相邻的两层所述子膜层的折射率不同，且低折射率的所述子膜层与高折射率的所述子膜层交替层叠设置，各所述子膜层的厚度为λ/4，其中，380nm...