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文档序号:23895679
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公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括:第一导电型半导体层,包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层;V‑坑,穿过第一上导电型半导体层的至少一部分;第二导电型半导体层,位于第一导电型半导体层上并填充V‑坑;活性层,置于第一导电型半导...
该专利属于首尔伟傲世有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过首尔伟傲世有限公司授权不得商用。
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