温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种制造半导体装置的方法，包括：移除虚拟栅极结构，以在半导体层上形成栅极沟槽、在界面层上形成高k值栅极介电层，其中界面层曝露于栅极沟槽中、在高k值栅极介电层上沉积含金属前驱物以形成含金属层、以及随后在含金属层上沉积含铝前驱物，其中含铝前驱物...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。