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本发明提供了一种用微波等离子体技术提高单晶钻石生长速度的基片台技术，包含一呈圆形的微波等离子体基片台，所述基片台的上表面有放置晶托用的凹坑，晶托上放置单晶钻石生长用的钻石晶种，凹坑底部环绕晶托有一环形的金属细管，细管上有小孔，细管连接抽真空...
该专利属于上海征世科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海征世科技有限公司授权不得商用。

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