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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件主要包含一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)设于一基底上，一第一间隙壁设于MTJ一侧以及一第二间隙壁设于MTJ另一侧，其中第一间隙壁及第二间隙壁为...
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