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一种新型SGT‑MOSFET器件栅结构，屏蔽栅左右两侧各有个控制栅，因此器件在正向阻断时，屏蔽栅外围的绝缘介质辅助耗尽半导体漂移区，提高了半导体漂移区浓度，有利于降低比导通电阻，器件正向导通时，半导体漂移区产生电子积累层，屏蔽栅外围的绝缘介...
该专利属于济南安海半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南安海半导体有限公司授权不得商用。

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