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提供了半导体存储器件。所述半导体存储器件包括衬底，该衬底包括单元区域、第一接触区域、第二接触区域和设置在第一接触区域与第二接触区域之间的位外围电路区域。第一堆叠结构设置在单元区域和第一接触区域上。第二堆叠结构设置在单元区域和第二接触区域上。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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