温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种三维半导体存储器装置包括：衬底；电极结构，其包括竖直地层叠在衬底上的电极，各个电极具有焊盘部分；电极分离结构，其穿透电极结构并在第二方向上彼此隔开；以及接触插塞，其耦接到焊盘部分。接触插塞包括第一接触插塞以及在第二方向上与第一接触插塞隔...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。