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本发明公开了一种近红外量子点及其制备方法和应用，其通过先提供量子点晶种生长体系的原料，使得第一阳离子前体、第一阴离子前体和第一配体混合反应生成量子点晶种；再加入第二阴离子前体至所述量子点晶种生长体系中，使得第二阴离子与第一阳离子前体在量子点...该专利属于纳晶科技股份有限公司;浙江纳晶科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳晶科技股份有限公司;浙江纳晶科技有限公司授权不得商用。