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形成半导体器件的方法包括提供具有衬底和从该衬底突出的鳍的结构；在鳍上方形成伪栅极堆叠件；在伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件；使用自由基蚀刻工艺去除伪栅极堆叠件，从而产生栅极沟槽；并且在栅极沟槽中形成金属栅极堆叠件。本发明的实施例还涉及半导...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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