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一种电容器结构及其制造方法技术
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文档序号:23673771
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本发明提供一种电容器结构及其制造方法,该方法包括:于底部衬底上形成蚀刻停止层、下部牺牲层、中部支撑层、顶部牺牲层、第一支撑层及应力缓解层,其中底部衬底具有接触孔;基于第一图形掩膜对应力缓解层进行刻蚀以形成应力缓解部;于第一支撑层及应力缓解部...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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