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半导体器件和方法技术
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文档序号:23498636
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公开了半导体器件和方法。在实施例中,半导体器件包括具有第一主表面的半导体衬底、从第一主表面延伸到半导体衬底中并且具有底部和从底部延伸到第一主表面的侧壁的沟槽、布置在沟槽中的场板、以及在沟槽中的封闭腔体。封闭腔体由绝缘材料限定并且在横向上被定...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。
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